삼성전자 1d DRAM 2026년 양산 전망과 HBM4 경쟁력

종목리서치

2026년 상반기, 삼성전자가 10나노급 미세공정 경쟁에서 한 걸음 더 나아간다. 메모리 슈퍼사이클 속에서 1d DRAM 양산 준비가 가시화되고 있다.

삼성전자는 2026년 2분기 목표로 1d DRAM(10~11nm 회로 선폭) 양산 장비 도입을 진행 중이며, 1c DRAM 수율 80% 돌파로 생산 안정권에 진입했다. HBM4 세계 최초 상용 출하와 함께 HBM 매출은 전년 대비 3배 이상 증가할 전망이다. (2026년 6월 기준)

삼성전자의 1d DRAM 양산 준비는 단순한 세대 교체가 아니다. 1c 대비 더 미세화된 10나노급 7세대 공정으로, AI 컴퓨팅 수요 폭발 속에서 HBM4 경쟁력 확보의 핵심 변수다. 1c DRAM 수율 80% 돌파가 1d 양산 리스크를 낮췄고, HBM 시장은 Bank of America Securities 전망에 따르면 2026년 546억 달러 규모로 전년 대비 58% 성장한다. 이 글은 ①1d DRAM 기술적 의미 ②양산 준비 현황 ③1c 수율이 주는 시사점 ④HBM4 경쟁력과 투자 관전 포인트를 데이터로 분석한다.

1d DRAM이란 무엇인가: 10나노급 7세대 미세공정의 기술적 의미

1d DRAM은 삼성전자가 2026년 상반기 양산 목표로 준비 중인 10나노급 7세대 DRAM이다. ZDNet Korea 보도(2026-06-17)에 따르면 회로 선폭은 약 10~11nm 수준으로, 현재 6세대인 1c DRAM(11~12nm)보다 미세화됐다. DRAM 세대 명명은 1x(1세대)→1y(2)→1z(3)→1a(4)→1b(5)→1c(6)→1d(7) 순서다. 숫자가 뒤로 갈수록 회로 선폭이 좁아져 같은 면적에 더 많은 셀을 집적할 수 있다.

미세공정의 핵심은 단위 면적당 용량 증가와 전력 효율 개선이다. 회로 선폭이 1nm 줄어들면 웨이퍼 1장당 생산 가능한 칩 수가 늘어나고, 전력 소비는 감소한다. AI 데이터센터는 GPU 1대당 HBM 메모리를 수십 GB 탑재하므로, 전력 효율 개선은 운영 비용(OPEX) 절감으로 직결된다. 또한 미세공정일수록 고속 데이터 전송에 유리해 HBM4의 11.7~13Gbps 전송속도 구현에도 기여한다.

1d DRAM은 HBM4의 베이스 다이로 활용될 가능성이 높다. 삼성전자는 Samsung Newsroom(2026년 1분기) 발표에 따르면 1c DRAM 기반으로 HBM4를 세계 최초 상용 출하했지만, 1d로 전환하면 동일 적층 높이에서 더 큰 용량을 구현하거나, 같은 용량에서 발열을 낮출 수 있다. 엔비디아 H200·B200 같은 차세대 AI 가속기는 HBM 용량 192GB 이상을 요구하므로, 미세공정 전환은 선택이 아닌 필수다.

1c → 1d 전환의 난이도: 수율 확보가 관건

세대가 진화할수록 공정 난이도는 기하급수적으로 오른다. 선폭이 좁아질수록 리소그래피(노광) 정밀도, 식각 균일성, 불량률 관리가 까다로워진다. 삼성전자가 1c DRAM 수율 80%를 돌파한 것은 1d 양산 리스크를 크게 낮췄다는 신호다. 메모리 슈퍼사이클 전망 분석에서 다룬 것처럼, 수율 안정은 대량 생산 전환의 전제 조건이다.

경쟁사 SK하이닉스는 이투데이 보도(2026-04)에 따르면 HBM4 양산을 2025년 9월 시작했고, 고객 일정에 맞춰 공급 중이다. 삼성전자가 1d DRAM 양산을 2026년 2분기 목표로 잡은 것은 SK하이닉스 대비 6개월 이상 뒤처진 일정이다. 시장 선점 경쟁에서 1d 양산 시기가 HBM4 공급 물량과 고객 확보에 직접 영향을 미친다.

삼성전자 1d DRAM 양산 준비 현황: 2026년 2분기 목표와 협력사 동향

ZDNet 보도(2026년 6월 17일)에 따르면 삼성전자는 복수 협력사와 1d DRAM 양산 장비 개발을 진행 중이며, 2026년 2분기 도입을 목표로 한다. 양산 장비는 노광·식각·증착·검사 등 수십 개 공정 장비가 통합된 생태계다. 협력사 동시 개발은 양산 일정 단축을 위한 전략이다.

1d DRAM 양산 준비는 크게 3단계로 나뉜다. ①파일럿 라인(Pilot Line) 구축 — 소량 시험 생산으로 공정 안정성 검증. ②수율 80% 돌파 — 대량 생산 경제성 확보. ③양산 라인 전환 — 기존 1c 라인을 1d로 교체하거나 신규 라인 증설. 삼성전자는 현재 ①단계를 넘어 ②단계 진입을 준비하는 것으로 추정된다. 1c 수율 80% 돌파 경험이 1d 수율 곡선(Yield Ramp)을 가속화할 것이다.

협력사 동향: EUV 장비와 검사 장비 수혜

1d DRAM은 극자외선(EUV) 리소그래피 공정이 필수다. ASML이 독점 공급하는 EUV 장비는 대당 2억 달러 이상으로, 삼성전자는 2026년 중 추가 도입을 진행할 것으로 예상된다. ASML 한국 매출 45% 분석에서 다룬 것처럼, 한국은 ASML 매출의 45%를 차지하며 EUV 장비 재편의 핵심 시장이다.

검사 장비는 한미반도체·원익IPS 등 국내 협력사가 수혜를 입는다. 미세공정일수록 불량 검출 정밀도가 중요해지므로, 검사 장비 수요는 세대 전환마다 증가한다. 한미반도체는 800억 원대 수주를 기록했고, 1d DRAM 양산 본격화 시 추가 수주가 예상된다.

증착·식각 장비는 어플라이드 머티리얼즈(AMAT)·램리서치(Lam Research) 등 글로벌 기업이 주도한다. 삼성전자의 1d 양산 준비는 이들 기업 실적에도 긍정적 신호다. Bank of America Securities 분석에 따르면 2026년 글로벌 DRAM 매출은 전년 대비 51% 급증할 전망이며, 장비 투자(CapEx) 증가가 동반된다.

1c DRAM 수율 80% 돌파가 주는 시사점: 1d 양산 리스크 평가

전자신문 보도(2026년 2월 23일)에 따르면 삼성전자는 1c DRAM 수율 80%를 돌파해 생산 안정권에 진입했다. 수율 80%는 반도체 업계에서 대량 생산 가능 수준으로 간주된다. 수율이 80% 미만이면 웨이퍼 1장당 생산 비용이 높아져 경제성이 떨어진다. 80% 이상이면 고정 비용이 분산돼 수익성이 개선된다.

1c 수율 80% 돌파는 1d 양산 리스크를 크게 낮춘다. 세대 전환 초기엔 수율이 50~60%에서 시작해 6개월~1년에 걸쳐 80%로 상승하는 것이 일반적이다. 삼성전자는 1c에서 축적한 공정 노하우를 1d에 이전할 수 있으므로, 1d 수율 곡선이 1c보다 빠를 가능성이 크다. 과거 1b→1c 전환 시 6개월 만에 수율 80%를 달성한 선례가 있다.

Digitimes 보도(2026)에 따르면 삼성전자는 1c DRAM 생산능력을 월 20만 웨이퍼 목표로 확대 중이다. 2026년 말 기준 월 200,000 웨이퍼 생산능력을 갖추면, 1d 전환 후에도 같은 규모로 HBM4를 공급할 수 있다. 생산능력 확보는 고객사(엔비디아·AMD·구글 등) 물량 계약의 전제 조건이다.

수율 80% 이후 과제: 90% 이상 수율과 비용 경쟁력

수율 80%는 출발점이지 종착점이 아니다. SK하이닉스는 1a DRAM 수율 90% 이상을 달성했고, 이것이 HBM3E 시장 점유율 70% 확보의 배경이다. 삼성전자가 1d DRAM 수율을 90% 이상으로 끌어올려야 SK하이닉스와 비용 경쟁에서 대등해진다. 수율 10%p 차이는 웨이퍼당 생산 비용 5~10% 격차로 이어진다.

비용 경쟁력은 가격 협상력으로 연결된다. 엔비디아는 HBM 공급사 다변화를 추진 중이지만, 가격과 수율이 동시에 만족되어야 대량 계약이 성사된다. SK하이닉스 70% vs 삼성 20% HBM4 공급 전쟁 분석에서 다룬 것처럼, 2026년 HBM4 공급 경쟁은 수율과 물량 확보 속도가 승부처다.

HBM4 경쟁력 확보와 메모리 슈퍼사이클 속 투자 관전 포인트

삼성전자는 Samsung Newsroom(2026년 1분기) 발표에 따르면 6세대 고대역폭 메모리 HBM4를 세계 최초로 상용 출하했다. 전송속도는 11.7Gbps 양산, 최대 13Gbps 구현이 가능하다. HBM4는 1c DRAM을 8~12단 적층한 구조로, 엔비디아 B200·H200, AMD MI350X 등 차세대 AI 가속기의 핵심 부품이다.

Bank of America Securities 전망에 따르면 2026년 HBM 시장 규모는 546억 달러로, 전년 대비 58% 증가한다. Digitimes 보도(2026)에 따르면 삼성전자 HBM 매출은 전년 대비 3배 이상 증가할 전망이다. 메모리 슈퍼사이클의 핵심 동력은 AI 컴퓨팅 수요다. OpenAI·구글·메타는 2026년 AI 인프라 투자로 각각 500억 달러 이상을 지출하며, HBM은 투자의 20~30%를 차지한다.

1d DRAM이 HBM4 경쟁력에 미치는 영향

1d DRAM 양산 성공 여부는 삼성전자 HBM4 경쟁력의 핵심 변수다. 1d로 전환하면 같은 적층 높이에서 용량을 20~30% 늘리거나, 전력 소비를 10~15% 낮출 수 있다. AI 가속기는 GPU 연산 성능이 높아질수록 메모리 병목이 심해지므로, 용량과 전송속도 동시 개선이 필수다.

SK하이닉스는 HBM3E에서 1a DRAM 기반 24GB 단일 다이를 양산했고, HBM4에서도 선두를 유지 중이다. 삼성전자가 1d DRAM 양산을 2026년 하반기 안에 성공하면, 2027년부터 1d 기반 HBM4E(차세대)로 격차를 좁힐 기회가 생긴다. 그러나 2026년 상반기 SK하이닉스 대비 6개월 격차는 고객사 선점 경쟁에서 불리하다.

투자 관전 포인트: 수율·물량·고객 확보 3대 축

메모리 슈퍼사이클 속에서 투자자가 주목할 핵심 지표는 3가지다.

①수율 추이: 1d DRAM 수율이 80%에 도달하는 시점. 분기 실적 발표 시 “신규 공정 수율 개선” 언급 여부를 확인하라. 수율 80% 도달은 주가 재평가의 촉매제다.

②월 생산능력: 삼성전자는 월 20만 웨이퍼 목표를 제시했다. 2026년 3분기 실적 발표에서 생산능력 확대 진행률을 체크하라. SK하이닉스는 이미 월 25만 웨이퍼 수준으로 추정되므로, 격차 축소가 관건이다.

③고객 계약: 엔비디아·AMD와의 HBM4 공급 계약 발표. 삼성전자는 2025년까지 엔비디아 HBM3E 공급에서 고전했지만, HBM4에서 세계 최초 출하로 발판을 마련했다. 2026년 하반기 엔비디아 B200 양산 본격화 시 삼성전자 물량 비중이 핵심 변수다. 구글 350억달러 AI 인프라 투자 분석에서 다룬 것처럼, 빅테크의 AI 가속기 수요는 HBM 공급 전쟁의 배경이다.

리스크: 사이클 고점과 경쟁 심화

메모리 슈퍼사이클은 영구적이지 않다. 2026년 HBM 매출 급증은 2027년 기저효과로 성장률 둔화 가능성이 있다. Bank of America Securities는 2027년 DRAM 가격 상승률이 2026년 대비 절반 이하로 낮아질 것으로 전망한다. 투자자는 사이클 고점 시그널(재고 증가, 가격 인하 압력)을 주시해야 한다.

경쟁 심화도 리스크다. 마이크론은 FY2Q26 실적에서 HBM 매출 급증을 기록했고, 2026년 하반기 HBM3E 양산 본격화를 예고했다. 3사 경쟁 격화 시 가격 협상력이 약화되고, 영업이익률이 압박받는다. 마이크론 실적 폭발 분석에서 다룬 것처럼, HBM 시장은 공급 과잉 우려가 2027년부터 대두될 수 있다.

투자 판단 시 1d DRAM 양산 성공 여부를 수율·물량·고객 확보 3대 축으로 추적하되, 사이클 고점과 경쟁 심화 리스크를 균형 있게 평가하라. 단기 실적 개선과 장기 구조적 성장을 분리해 접근하는 것이 핵심이다.

자주 묻는 질문

1d DRAM은 1c DRAM과 무엇이 다른가요?

1d DRAM은 회로 선폭 10~11nm로 1c(11~12nm)보다 미세화된 10나노급 7세대 DRAM이다. 같은 면적에 더 많은 셀을 집적해 용량 증가와 전력 효율 개선이 가능하며, HBM4의 고속 전송속도 구현에 유리하다. 삼성전자는 2026년 2분기 양산 장비 도입을 목표로 준비 중이다.

삼성전자 1d DRAM 양산 시기는 언제인가요?

ZDNet 보도(2026년 6월 17일)에 따르면 삼성전자는 복수 협력사와 1d DRAM 양산 장비 개발을 진행 중이며, 2026년 2분기 도입을 목표로 한다. 양산 본격화는 수율 80% 도달 시점에 따라 2026년 하반기 또는 2027년 상반기로 예상된다. 1c DRAM 수율 80% 돌파 경험이 1d 수율 곡선을 가속화할 것이다.

1c DRAM 수율 80% 돌파가 왜 중요한가요?

수율 80%는 반도체 업계에서 대량 생산 가능 수준으로, 이 이상이면 웨이퍼당 생산 비용이 낮아져 경제성이 확보된다. 삼성전자가 1c에서 80%를 돌파한 것은 1d 양산 리스크를 크게 낮춘 신호다. 세대 전환 초기 수율 곡선이 빨라져 1d 양산이 조기 안정화될 가능성이 높다.

HBM4 경쟁에서 삼성전자 위치는 어떤가요?

삼성전자는 2026년 1분기 HBM4를 세계 최초로 상용 출하했지만, SK하이닉스가 2025년 9월 양산을 시작해 약 6개월 앞서 있다. SK하이닉스는 HBM3E 시장 점유율 70%를 확보했고, 삼성전자는 20% 수준으로 추정된다. 1d DRAM 양산 성공 여부가 2027년 HBM4E 격차 축소의 핵심 변수다.

메모리 슈퍼사이클은 언제까지 지속되나요?

Bank of America Securities 전망에 따르면 2026년 HBM 시장은 546억 달러 규모로 전년 대비 58% 성장하지만, 2027년부터 성장률 둔화 가능성이 있다. AI 인프라 투자 급증이 2026년 정점을 찍고, 2027년 기저효과로 증가율이 낮아질 수 있다. 투자자는 분기별 재고 증가와 가격 인하 압력을 사이클 고점 시그널로 추적해야 한다.

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